GaSb单晶是的晶格常数与带隙在0.8~4.3um光谱范围内的各种三元、四元和III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配，所以 GaSb可以作为衬底材料适合用作制备某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb的晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。
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生长方法
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液封提拉法LEC
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晶体结构
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立方
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晶格常数(nm)
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0.609
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晶向
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、、±0.5º、或特殊方向
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掺杂程度
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轻掺、中掺、重掺
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掺杂元素
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不掺杂
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掺Te
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掺Te
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掺Zn
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导电类型
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P
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P-
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N
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N-
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P+
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带隙（eV）
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0.75
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电阻率（Ω·cm）
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迁移率(cm2/(v·s))
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载流子密度（/cm3）
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1~2×1017
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1~5×1016
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2~6×1017
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1~5×1016
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1~5×1018
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位错密度（EPD）（/cm2）
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<5×104
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尺寸
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Φ3″×0.5、Φ2″×0.5,可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸
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表面
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单抛片、双抛片或者切割片
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厚度(um)
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500，厚度公差+-10um，可定制
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TTV (Total Thickness
Variation)
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TIR (Total Indicated
Reading)
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Bow
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Warp
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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单质