GaN具有直接带隙宽、原子键强、热导率高和抗辐照能力强等性质，不仅是短波长光电子材料，也是高温半导体器件的替代材料，GaN体系可以用来制备蓝、绿光LED，蓝紫、紫外光LD，紫外探测器以及高频大功率电子器件。GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/(v·s)的2-DEG，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素。
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生长方法
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HVPE（氢化物气象外延法）
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晶体结构
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六方
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晶格常数(nm)
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a：0.319 c：0.519
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晶向
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C-axis(0001) ± 0.5°
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掺杂程度
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轻掺、中掺、重掺
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掺杂元素
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导电类型
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N
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Semi-Insulating
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带隙（eV）
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3.44
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电阻率（Ω·cm）
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< 0.5 Ω·cm
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>106Ω·cm
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迁移率(cm2/(v·s))
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载流子密度（/cm3）
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位错密度（EPD）（/cm2）
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<5x106
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尺寸
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10.0mm×10.5mm、14.0mm×15.0mm，可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸
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表面
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单抛片、双抛片或切割片
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厚度(um)
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300 ± 25、350 ± 25、400 ± 25，可定制
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TTV (Total Thickness
Variation)
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TIR (Total Indicated
Reading)
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Bow
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Warp
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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单质
